日本HORIBA堀場:計量學，HORIBA 的顆粒檢測和去除系統對于提高半導體光刻工藝的產能至關重要。

日本HORIBA堀場:顆粒檢測系統

半導體制程綜合顆粒檢測

For Semiconductor manufacturing processes, where the most advanced micro-fabrication techniques are used, quality management is a critical issue that directly impacts business.

It is important to constantly inspect for the presence of particle contamination. By making use of advanced analysis technologies, HORIBA provides cost effective leading-edge particle detection solution to semiconductor manufactures.

日本HORIBA堀場 薄膜分析

薄膜分析

Thin Film Analysis

日本HORIBA堀場 LEM Series

我們的實時干涉工藝監測儀可在蝕刻/沉積制程中對薄膜厚度和溝槽深度進行高精度檢測。根據應用的不同，LEM 攝像頭包含 670、905 或 980 nm 激光器，當安裝在任何干法蝕刻/沉積制程處理室上，直接俯視晶圓時，會在樣品表面產生小激光點。

單色光照射到樣品表面時會發生干涉，由于薄膜的厚度和高度變化，會導致不同的光程長度。
可實時監測蝕刻/沉積速率和厚度，也允許條紋計數或更復雜的分析，為各種工藝提供增強的制程控制終點檢測。此外，接口可通過其反射率的變化來檢測。

一般特征

由于采用干涉測量技術，LEM 攝像頭非常適合蝕刻/沉積速率監測、條紋計數和終點檢測，提供薄膜厚度和溝槽深度以及接口的高精度檢測。
LEM 攝像頭可以安裝在任何處理室上，直接俯視晶圓，并提供樣品表面的實時數字 CCD 圖像，使光斑定位更簡單。

GD-Profiler 2?輝光放電光譜儀

用輝光放電光譜儀去發現一個嶄新的信息世界

GD-Profiler 2? 可以快速、同時分析所有感興趣的元素，包括氣體元素N、O、H和Cl，是薄膜和厚膜表征和工藝研究的理想工具。

GD-Profiler 2? 配備的射頻源可在脈沖模式下對易碎樣品進行測試，廣泛應用于高校以及工業研究實驗室，其應用范圍有腐蝕研究、PVD 涂層工藝控制、PV 薄膜開發以及LED 質量控制等。

• 射頻發生器是 E 類標準，對穩定性和濺射坑形狀都進行了優化以滿足實時表面分析。

• 射頻源可以分析傳統和非傳統鍍層和材料，對于易碎樣品，還可以使用脈沖式同步采集優化測試。

• 從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。

• HORIBA 研發的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率，光學效率和靈敏度都表現優良。

• HDD 探測器兼具檢測速度和靈敏度。

• 內置的微分干涉儀DIP可實時測量濺射坑深度和剝蝕速率。

• 寬敞簡潔的大樣品倉易于裝卸樣品，操作簡單。

• QUANTUM? 軟件配置了Tabler 報告編寫工具。

• **激光中心定位裝置（**號：Fr0107986/國際**種類：G01N 21/67）可定位樣品測試位置。

 HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀，實現n+1元素通道的同時也提高了設備的靈活性。

• 輝光源結合超快速、高分辨的同步光學器件，可對導體、非導體和復合材料進行快速元素深度剖析。

• 適用于薄膜和厚膜——從納米到數百微米，且具有納米級深度分辨率。

• 典型應用領域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機和微電子、材料研發、沉積工藝優化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。

• 不需要超高真空。

• 使用高動態探測器可以測量所有感興趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。

• 可選附件單色儀配備的也是高動態探測器，可在image模式下做全譜掃描，極大的增加了設備的靈活性。

• 脈沖式射頻源，可選擇在常規射頻模式和脈沖式射頻模式下工作，且可全自動匹配。

• 輝光源采用差速雙泵真空系統，可為SEM制備樣品。

• 內置等離子清洗功能。

• 超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機材料。

• 內置的微分干涉儀DIP，可直接在線測定深度。

• 用于異形樣品測試的各種銅陽極和附件。

• Windows 10 軟件 – 為遠程安裝提供多個副本

應用：

脈沖式射頻GD-OES分析含有金屬和金屬氧化物納米顆粒的薄膜

HORIBA Scientific 是法國研究項目的合作伙伴，在同一個腔室中將納米粒子噴霧耦合到 PVD 生長層上。許多關于這類新材料的研究都使用脈沖式射頻 GD-OES 來分析顆粒的深度分布和復合層的厚度。

脈沖式射頻 GD-OES表征鋰電池電極的特點和優勢。

鋰電池是一種可充電電池，通過鋰離子在陽極和陰極之間遷移，產生電流。無論您是研究新電極、涂層行為、充電和放電過程、過程控制，還是對鋰電池進行性能比較研究，脈沖式射頻GD-OES都是有價值的測試工具。

日本HORIBA堀場  RP-1

光罩/掩膜顆粒去除設備

RP-1 通過空氣（或 N2）和真空抽吸自動去除光罩/掩膜上的顆粒。在光刻工藝前定期去除顆粒可延長薄膜的更換周期和掩膜的清洗周期，從而降低運行成本。

制造商: HORIBA, Ltd.

• 減少操作人員的日常工作，防止人為損壞薄膜
• 消除人工操作，防止靜電放電損壞
• 在光罩存儲設備中存儲掩膜的前后去除顆粒，可以延長掩膜壽命
• 結合 PR-PD 系列光罩/掩膜顆粒檢測系統，可確認去除顆粒后光罩/掩膜的狀態。