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產品詳情
簡單介紹：
主要特長
能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。
能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。
由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。
此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
詳情介紹：
光刻機介紹
曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″
光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW
曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm
光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW
LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″
光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW
?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
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?300mm對應曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規格也可對應
マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135
マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50
主要規格
| 型式 | MX-1201 | MX-1201E | MX-1205 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| *小線幅 (※1) | [μm] | 5 | 3 | 2 | 1 | |||
| 數據分辨率 | [μm] | 0.488 | 0.25 | 0.1 | 0.05 | |||
| *大基板尺寸 | [mm] | 200 x 200 | 200 x 200 | 100 x 100 | ||||
| 有效曝光范圍 | [mm] | 200 x 200 | 200 x 200 | 100 x 100 | ||||
| 激光主波長 | [nm] | 405 | 375 | 405 + 375 | 405 | 375 | 375 | |
| 曝光掃描速度 | [mm/s] | 43.94 | 22.5 | 9 | 4.5 | |||
| 節拍時間 | [s,min] | 180 [s] | 320 [s] | 16 [min] | 27 [min] | |||
| *大曝光量 | [mJ/c㎡] | 245 | 70 | 245 + 70 | 460 | 135 | 50 | 100 |
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